Transforming the Economics of Storage

Intel® 3D NAND Technology extends our leadership in flash memory with an architecture designed for higher capacity and optimal performance, a proven manufacturing process providing accelerated transitions and scaling, and rapid portfolio expansion for multiple market segments.

Storage Capacity Empowered by Intel® Innovation

Intel introduces the world’s first PCIe* SSDs with Intel® QLC Technology. Intel® QLC 3D NAND Technology provides up to 33% high areal density1 than its 3D NAND predecessor. It also uniquely features PCIe* acceleration, to deliver a reliable mix of performance, capacity, and value-making it a smart storage solution for both datacenter and client markets.

Intel® QLC Technology leverages current 3D NAND, with a proven 64-layer structure, and adds an additional bit per cell that provides 4bits/cell (QLC), making it the world's highest-density flash memory. Additionally, this technology uses a floating gate cell because it is a reliable, low-cost storage method. Last, Intel® QLC Technology was paired with PCIe*- (NVMe*) technology, to provide up to a 4x performance benefit over SATA interfaces.2

Prepare for the future with Intel QLC-built on reliable Intel® technology and backed by Intel manufacturing leadership.

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Finally, SSD Performance Meets Big Business Value

For datacenters, Intel® QLC 3D NAND Technology radically shrinks HDD system footprints.3 Fewer systems to maintain lead to power and cooling savings4, while also reducing operation and capital costs associated with drive replacements.5 And while footprint goes down, performance goes up.6 PCIe* acceleration blasts through SATA bottlenecks7, unleashing the full power of QLC. When coupled with optional Intel® Optane™ technology, Intel® 3D NAND Technology datacenter products deliver even better performance2, accelerating access to data needed most.

Do more, store more, and save more with Intel® QLC Technology featured in the Intel® SSD D5-P4320 SeriesIntel® SSD D5-P4326 Series, and Intel® SSD D5-P4420 Series. Currently shipping in limited quantities.

Amazing Is Now Affordable

Intel® QLC 3D NAND Technology enables consumers to tackle today’s storage needs and prepare for the growing demands of tomorrow. These client SSDs pack in more data than TLC-based storage, allowing up to 2x more capacity in identical footprints.1 Only Intel coupled this game-changing technology with PCIe* to deliver affordable PCIe* performance.

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Architected for Capacity and Reliability

Intel® 3D NAND Technology is an innovative response to the industry’s growing demand for data storage capacity. Compared to other available NAND solutions, Intel® 3D NAND Technology is designed on floating gate architecture with a smaller cell size and a highly efficient memory array, which enables higher capacity solutions and high reliability with strong protection from charge loss.

Innovation Leadership

64-Layer Breakthrough

Intel has applied 30 years of flash cell experience to transition NAND from 2D to 3D, multi-level cell (MLC) to tri-level cell (TLC), and 32-layer to our breakthrough 64-layer technology. All of this is done to deliver the highest areal density8 and rapidly grow storage capacities in 3D NAND solutions.

Expansive Portfolio

Built on a Proven Process

With 3D NAND technology, Intel delivers innovative, high-value capabilities into a broad product portfolio. Our experience of designing this architecture into SSD solutions enables us to rapidly improve performance, power consumption, performance consistency, and reliability with each generation.

Manufacturing Scalability

Enabling Disruptive Opportunities

Intel is using manufacturing processes proven by decades of high volume output to build 3D NAND technology. With strong generational synergy across our factory network, Intel expects to grow 3D NAND capacity faster than the market, enabling us to deliver disruptive total cost of ownership and application acceleration to our customer base.

Infos sur le produit et ses performances


La TLC (cellule à trois niveaux) contient 3 octets par cellule et la QLC (cellule à quatre niveaux) contient 4 octets par cellule. Calculé comme suit : (4-3)/3 = 33 % plus d'octets par cellule.


Cluster vSAN 4 nœuds - configuration système 1 nœud : modèle de serveur : Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS) ; carte mère : H48104-850 ; processeur : double processeur Intel® Xeon® Gold 6142 2.6G, 16 cœurs/32 threads, 10,4 GT/s, 22 Mo de cache, turbo, technologie Hyper-Threading (150 W) DDR4-2666 ; mémoire : 16 Go RDIMM, 2 666 MT/s, double rang x16 ; cartes réseau : carte SFP Intel X520-DA2 10 GbE + DAC et LAN intégré Intel X722 10 GbE. Toutes les configurations TLC : 2 unités de stockage SSD pour centre de données Intel® série P4610 1,6 To pour la mise en cache et 4 unités de stockage SSD pour centre de données Intel® série P4510 4 To pour la capacité de stockage ; mémoire Intel® Optane™ +Configuration QLC : 2 unités de stockage SSD Intel® Optane™ DC série P4800X 375 Go pour la mise en cache et 2 unités de stockage SSD Intel® SSD D5-P4320 de 7,68 To pour la capacité de stockage. 2 charges de travail : HCIBench : Nombre de machines virtuelles : 16, nombre de disques de données : 8, taille des disques de données : 60, nombre de disques à tester : 8, pourcentage de données de travail : 100, nombre de threads par disque : 4, taille des blocs : 4K, pourcentage de lecture : 70, pourcentage aléatoire : 50, durée du test : 3 600. Résultats : configuration P4610+P4510 = 83 451 IOPS @ 6,3 ms de latence. Configuration P4800x+P43220 = 346 644 IOPS @ 1,52 ms de latence.


Comparaison d'un disque dur 3,5" 4 To de classe WD Gold TB Enterprise 7 200 tr/min, ce qui permet jusqu'à 24 disques durs pour 2 U et un total de 20 U et 960 To, et d'une unité de stockage SSD E1.L Intel® série D-5 P4326 de 30,72 To (disponible à une date ultérieure) permettant jusqu'à 32 disques durs pour 1 U et un total de 1 U et 983 To. Donc 20 unités par rack contre 1 unité par rack.


Alimentation, refroidissement, consolidation des économies de coûts. Sur la base d'un disque dur : disque dur 4 To 7 200 tr/min, AFR de 2 % et puissance active de 7,7 W, 24 disques dans 2 U (1 971 W de puissance totale)é de stockage SSD : 22 W de puissance active 44 % AFR, 32 disques dans 1 U (704 W de puissance totale) ; coût de refroidissement basé sur un déploiement sur cinq ans avec un coût du Kwh de 158 USD et le nombre de watts nécessaire pour refroidir 1 watt 1,20 basé sur disque dur 3,5" 2U 24 disques et EDSFF 1U Long 1U 32 disques. Stockage hybride basé sur l'utilisation d'une unité de stockage SSD TLC Intel® pour le cache.


Économie de coût pour le remplacement de l'unité de stockage. Calcul : Disque dur 2 % AFR x 256 unités x 5 ans = 25,6 remplacements en 5 ans ; unité de stockage SSD : 0,44 % AFR x 32 unités x 5 ans = 0,7 remplacement en 5 ans.


Compare les IOPs 4K à lecture aléatoire et la profondeur de file d'attente 32 entre la série Intel® SSD D5-P4320 et le disque dur Toshiba N300. 175 000 IOPS : Données mesurées par le SSD Intel® série D5-P4320 avec stockage SSD de 7,68 To. IOPS en lecture aléatoire 4K ; profondeur de file d'attente de 32. 532 IOPS : Basé sur les bancs d'essai de Tom's Hardware pour le disque dur Toshiba N300 8 To 7 200 tr/min. IOPS en lecture aléatoire 4K ; profondeur de file d'attente de 32 :,5277-2.html. Les IOPS en lecture aléatoire 4K sont donc 329 fois meilleurs.


IOPS PCIe* basé sur une simulation de lecture aléatoire 4K, profondeur de file de 256, estimations de performances réalisées par Intel pour l'unité de stockage Intel® SSD D5-série P4320 /Intel® SSD D5-série P4326 PCIe* à des capacités différentes : 3,84 To ; 7,68 To ; 15,36 To et 30,72 To. IOPS SATA réglé sur 100K IOPS pour tous les points de capacité sur la base d'un maximum possible de 100K IOPS pour les unités de stockage SSD SATA compétitives actuelles de Micron. La fiche technique de l'unité de stockage Flash NAND série 5200 de Micron donne des IOPS max. pour une lecture aléatoire 4K à QD32 de 95K IOPS pour les processeurs 3,84 To et 7,68 To.


Comparaison de la densité de surface des données mesurées Intel avec la technologie Intel® 3D NAND 512 Go avec des concurrents représentatifs sur la base des études de l'International Solid-State Circuits Conference 2017 de l'IEEE citant les tailles de matrice de Samsung Electronics et Western Digital/Toshiba pour le composant NAND 3D à 64 couches.