Conçue pour le nuage. Performances optimisées.

Points clés

  • Technologie TLC Intel® 3D NAND à 144 couches de nouvelle génération

  • Accélération de la charge de travail des centres de données dans le nuage avec une latence réduite

  • Amélioration de la sécurité et de la gestion de l'entreprise

  • Réactivité dans le cadre d'E/S mixtes

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Répond aux exigences d'aujourd'hui pour les centres de données en matière de performances, de gestion et d'E/S pour une vaste gamme de charges de travail.

Créée à l'aide de la technologie TLC Intel® 3D NAND à 144 couches, l'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 offre des performances et une capacité optimisées pour les batteries de mémoire flash et elle est conçue pour améliorer l'efficacité informatique et la sécurité des données. L'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 comprend un microprogramme et un contrôleur Intel® PCIe 4.0 qui apporte une faible latence, des capacités de gestion améliorées, une évolutivité et de nouvelles fonctionnalités NVMe essentielles pour les environnements d'entreprise et dans le nuage.

Disponible au format U.2 15 mm, cette unité de stockage SSD est proposée avec des capacités de 3,84 To et 7,68 To avec une endurance à l'écriture de 1 écriture de lecteur par jour (DWPD).

Améliorer les performances avec moins de latence

L'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 offre des performances élevées et rapides et elle peut considérablement accélérer les baies entièrement composées de mémoire flash. Optimisée pour les performances, l'unité D7-P5510 offre des performances de lecture séquentielle jusqu'à 2 fois plus élevées,1 une latence réduite de 50 %2 et une augmentation de 50 % des IOPS (E/S par seconde) sur des charges de travail mixtes (70 % lecture, 30 % écriture)3 par rapport à la génération précédente d'unités de stockage SSD Intel®.

Une nouvelle architecture TRIM améliore encore davantage les performances de charges de travail réelles lorsque des commandes de gestion des ensembles de données sont utilisées. L'architecture TRIM optimisée fonctionne désormais en arrière-plan sans interférer avec les charges de travail, améliorant ainsi les performances et la qualité des services pendant les TRIM simultanés. Le processus TRIM est amélioré grâce à une amplification d'écriture réduite qui aide les lecteurs à atteindre leur objectif d'endurance.

Améliorations du microprogramme pour la performance du lecteur, l'efficacité informatique, la sécurité des données et l'administrabilité

L'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 comprend de nombreuses améliorations du microprogramme conçues spécialement pour améliorer l'efficacité informatique et la sécurité des données dans un monde de plus en plus centré sur les données.

Des espaces de noms multiples dynamiques améliorent l'approvisionnement de l'environnement d'exécution et la gestion du stockage. Un lecteur de surprovisionnement à espace de noms unique et réduit améliore l'endurance et les performances d'écriture aléatoire4.

  • La prise en charge étendue du format LBA offre la flexibilité nécessaire au logiciel hôte pour transmettre les métadonnées et les informations de protection en plus des données utiles. L'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 prend en charge VSS avec les tailles de secteur suivantes : 512/520/4096/4104/4160B.
  • Scatter Gather List (SGL) améliore les performances en supprimant la nécessité d'un alignement des données au niveau de l'hôte.
  • Surveillance SMART améliorée, qui rend compte de l'état de santé du lecteur sans perturber le flux de données d'E/S à l'aide d'un mécanisme intrabande et d'un accès hors bande.
  • L'auto-test des appareils (Device Self-Test) améliore l'expérience des clients en garantissant que les appareils fonctionnent comme prévu. Le système hôte peut demander au périphérique de stockage (SSD) d'effectuer des tests pour s'assurer qu'il fonctionne correctement, incluant les vérifications SMART, la sauvegarde de la mémoire volatile, l'intégrité NVM, la durée de vie du lecteur.
  • La télémétrie rend une large gamme de données stockées accessibles et comprend un suivi et un enregistrement intelligents des erreurs. Cela augmente la fiabilité de la détection et de l'atténuation des problèmes, et permet d'accélérer les cycles de qualification, ce qui se traduit par un meilleur rendement des TI.
  • Des fonctions de sécurité supplémentaires comme le TCG Opal 2.0, le verrouillage configurable de l'espace de nom, l'assainissement et le formatage NVM sont prises en charge.
  • Un dispositif de protection contre la perte de puissance imminente (PLI) avec auto-test intégré protège le système contre la perte de données en cas de coupure soudaine de l'alimentation. Associées à un dispositif de pointe de protection de bout en bout du cheminement des données5, les fonctionnalités de perte de puissance imminente permettent également un déploiement facile dans des centres de données résilients où la corruption des données due à des failles au niveau du système n'est pas tolérée.

Leader d'industrie de la technologie NAND

La technologie Intel® 3D NAND à 144 couches offre une densité de surface6 et une rétention des données7 à la pointe de l'industrie. Elle permet aux entreprises clientes de dimensionner les réseaux de stockage en toute confidentialité pour répondre à leurs besoins croissants. Avec l'adoption rapide d'infrastructures définies par des logiciels et hyperconvergées, il devient de plus en plus indispensable de maximiser l'efficacité, de donner une nouvelle vie au matériel existant et d'accroître l'agilité des serveurs, tout en veillant au maintien de la fiabilité opérationnelle.

Les principaux fabricants de serveurs d'entreprise ont réagi en adoptant des unités de stockage SSD basées sur le PCIe/NVMe avec des performances évolutives, une faible latence et une innovation continue. Toute stratégie d'entreprise doit pouvoir répondre à la demande des charges de travail de plus en plus élevées en termes d'E/S, y compris d'IA et d'analytique.

Vue d'ensemble des caractéristiques

Modèle Unité de stockage SSD Intel® D7-P5510
Capacité et facteur de forme U.2 15 mm : 3,84 To, 7,68 To
Interface PCIe 4.0 x 4, NVMe 1.3c
Médias Technologie Intel® 3D NAND, 144 couches, TLC
Performances E/L séquentielle de 128 k jusqu'à 7 000/4 194 Mo/s
E/L aléatoire de 4 Ko jusqu'à 930 k/190 kIOPS
Endurance 1 DWPD (jusqu'à 14 PBW)
Fiabilité

UBER : 1 secteur pour 1017 bits lus

MTBF : 2 millions d'heures

Puissance

Moyenne maximale en écriture active : 18 W

Inactive : 5 W

Garantie Garantie limitée de 5 ans

Avis et avertissements8

Configuration pour les notes de bas de page 1-3 : Test et configuration du système : carte mère pour serveurs Intel® S2600WFT, version R2208WFTZS, BIOS SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, architecture de plateforme x86_64, processeur Intel® Xeon® Gold 6140 à 2,30 GHz, 2 sockets de processeur, 32 Go de RAM DDR4, version de SE centos-release-7-5, Build 1804, noyau 4.14.74, pilote NVMe Inbox, version FIO 3.5, utilisation d'un commutateur Microsemi PCIe 4.0. P5510 et P5316 respectivement testés sur les microprogrammes JCV10100 et ACV10005.

Infos sur le produit et ses performances

1

Jusqu'à 2 fois plus performant en lecture séquentielle. Cette affirmation est basée sur une comparaison entre l'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510 128 Ko en lecture séquentielle (7 Go/s) et l'unité de stockage SSD Intel® DC P4510 128 Ko en lecture séquentielle (3,20 Go/s). Date du test : octobre 2020.

2

Latence améliorée de 50 %. Cette affirmation est basée sur une charge de travail aléatoire 75/25 de 4 Ko à 6 (9 s). L'unité de stockage SSD Intel® D7-5510 (1100 μs) possède une latence améliorée de 50 % par rapport au unité de stockage SSD Intel® DC P4510 (2539 μs). Date du test : octobre 2020.

3

Des E/S par seconde (IOPS) à charge de travail mixte améliorés à 50 %. Cette affirmation est basée sur une comparaison entre l'unité de stockage SSD Intel® D7-P5510, 7,684 To, 4 Ko mixte 70/30 (400 K) et l'unité de stockage SSD Intel® DC P4510, 8 To (266 K). Date du test : octobre 2020.

4

 Cet article contient des informations sur l'avantage des lecteur de surprovisionnement à espace de noms unique et réduit : https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Source : Los Alamos. Unités de stockage testées à la source : Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Facteur d'accélération des neutrons de 10^6. Test réalisé sur lecteurs SSD à port unique et les unités de stockage SSD Intel® DC S3520, SSD Intel® DC P3520, SSD Intel® DC P3510, SSD Intel® DC P4500, SSD Intel® DC S4500, SSD Intel® DC P4800X, SSD Intel® D7-P55XX, SSD Intel® D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Aucune corruption de données invisible mesurée dans les unités de stockages Intel® à port unique présentant un temps de mesure cumulée supérieure à 5 millions d'heures. Nous utilisons la radiation neutronique pour définir les taux de corruption invisible des données et pour mesurer l'efficacité générale de la protection des données de bout en bout. Parmi les causes de corruption des données d'un contrôleur SSD, on peut citer le rayonnement ionisant et l'instabilité SRAM. Les erreurs invisibles ont été mesurées en runtime et après le redémarrage, après qu'une unité de stockage soit restée « suspendue », en comparant les données attendues aux données réelles renvoyées par l'unité de stockage. Le taux annuel de corruption de données a été projeté à partir du taux constaté pendant le test accéléré, divisé par l'accélération du rayon (voir la norme JESD89B/C du JEDEC).

6

Source : ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Les mesures ont été prises sur les composants des unités de stockage SSD en utilisant la technologie de grille flottante et flash à piège de charge (CTF). La plateforme de mesure utilisée était composée de systèmes de test de mémoire Teradyne Magnum 2 et de programmation à partir de configurations et de marges aléatoires quantifiées à l'aide de commandes de clients. Données mesurées en 08/2019.

8

Ces performances varient en fonction de l'utilisation, de la configuration et d'autres facteurs. Pour en savoir plus, consultez www.intel.ca/PerformanceIndex.

Les résultats de performance s'appuient sur les tests réalisés aux dates indiquées dans les configurations et peuvent ne pas refléter toutes les mises à jour de sécurité disponibles. Voir la sauvegarde pour obtenir les détails de configuration. Aucun produit ou composant ne saurait être totalement sécurisé en toutes circonstances.

Vos coûts et résultats peuvent varier.

Intel ne maîtrise et ne vérifie pas les données tierces. Vous devriez consulter d'autres sources pour évaluer leur précision.

Les technologies Intel peuvent nécessiter du matériel, des logiciels ou l'activation de services compatibles.