Mémoire système pour la carte mère Intel® pour PC de bureau DQ45CB

Documentation

Compatibilité

000006470

06/10/2020

Matières

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte dispose de quatre sockets DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • DIMM DDR2 SDRAM 1,8 V avec contacts plaqués or, avec la possibilité d’augmenter la tension pour prendre en charge des BARRETTes de mémoire SDRAM DDR2 plus performantes
  • Prise en charge du mode entrelacé à deux canaux
  • Barrettes de mémoire DIMM sans tampon, monofaces ou double face avec la restriction suivante : les barrettes DIMM à double face avec une organisation X16 ne sont pas prises en charge
  • mémoire système totale 16 Go maximum avec barrettes DIMM 800 MHz ou DDR2 667 MHz
  • Mémoire système totale recommandée : 512 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Détection de présence en série
  • BARRETTes de mémoire DDR2 SDRAM à 800 MHz ou DDR2 667 MHz
  • Barrettes de mémoire DDR2 667 MHz avec des minutages SPD de seulement 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP)
  • Barrettes de mémoire DIMM 800 MHz avec des minutages SPD de seulement 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)

Pour être totalement compatible avec toutes les spécifications de la mémoire DDR SDRAM, la carte doit être équipée de barrettes DIMM prenant en charge la structure de données SPD (Serial Presence Detect). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installée, le BIOS tentera de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais les performances et la fiabilité pourront être affectées ou les barrettes DIMM ne fonctionneront peut-être pas selon la fréquence déterminée.

Les ressources système et le matériel (par exemple, PCI Express *) nécessitent des emplacements de mémoire physique qui peuvent réduire la mémoire système adressable disponible. Cela pourrait entraîner la mise à disposition d’un maximum de 1 Go ou plus de mémoire adressable physique pour le système d’exploitation et les applications, en fonction de la configuration du système et du système d’exploitation.

Configurations de mémoire prises en charge

Type de barrettes DIMMTechnologie SDRAMPlus petit module de mémoire DIMM utilisable (un module de mémoire DIMM X16 à une seule face)Plus grand module de mémoire DIMM utilisable (un module de mémoire DIMM x8 double face)Capacité maximale avec quatre barrettes de mémoire DIMM à double face x8 identiques
MÉMOIRE DDR2 667512 Mbit256 MO1 GO4 GO
MÉMOIRE DDR2 6671 Gbit512 MO2 GO8 GO
MÉMOIRE DDR2 6672 Gbits1 GO4 GO16 GO
MÉMOIRE DDR2 800512 Mbit256 MO1 GO4 GO
MÉMOIRE DDR2 8001 Gbit512 MO2 GO8 GO
MÉMOIRE DDR2 8002 Gbits1 GO4 GO16 GO

 

Mémoire testée
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de référence peuvent ne pas être disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Numéro de référence du module/fournisseur du moduleTaille du moduleVitesse du module (MHz)Latence CL-tRCD-tRPECC ou non-ECCOrganisation de barrettes DIMMCode de date du moduleNuméro de référence du composant utilisé/COMP
M2GVD6G3H31P0I1E53 adatum *512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 N/A
M2OAD6G3H3160I1E53 adatum512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 N/A
AENEON* AET760UD00-25DC08X1 GO8005-5-5Non-ECCSS x 80720AENEON AET03R250 C
Apacr * AHU512E800C5K1C512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80711N/A
AU512E800C5KBGC APAC512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 AM4B5708HEWS8E APAC
APOGEE* AU51082-667P000CL5512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80714APOGEE WA51082B-3B
ELPIDA * EB51UD8AJWA-6E-E512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80720ELPIDA E5108AJBG-6E-E
FOXCONN * X289-E63HU-0AB1R512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80715FOXCONN 026Y-6769-A
Bâtiment Infineon * HYS64T64000HU-3S-A512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80801Bâtiment Infineon HYB181512 800AF3S
JIEYUAN * PC5300U-50550 3-6030701512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80706KT1286675413 VT *
KINGMAX* KLDC28F-A8KB5512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 KINGMAX KKABFFBXF
Kingston * 9905315 -019. A02LF KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80718Kingston E5108AHBG-8E-E
Kingston KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80710NANYA NT5TU64M8BE-25C
Kingston KVR800D2N6/1G1 GO8006-6-6Non-ECCSS x 160838Elpida E1108AGBG-8E-E
Kingston KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80623Mosel* V59C1512804QBF25
Kingston KVR800D2N6K2/8G4 GO8006-6-6Non-ECCx8 Elpida E2108ABSE-8G-E
NANYA* NT512T64U88B0BY-25C512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80550NANYA NT5TU64M8BE-25C
NANYA NT512T64U88B0BY-25D512 MO8006-6-6Non-ECCSS x 80723NANYA NT5TU64M8BE-25D
NANYA NT512T64U88B0BY-3C512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80550NANYA NT5TU64M8BE-3C
OXCCO* X269-E63GU-0AB1R512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 806500169-6255
OXCCO X269-E63GU-0AB1R512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80715FOXCONN 016Z-6162-A
Qimonda * HYS64T6400EU-25F-B2512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80715Qimonda HYB18T512800B2F25F
Qimonda HYS64T6400HU-2,5-B512 MO8006-6-6Non-ECCSS x 80647Qimonda HYB18T512
Ramaxel * RML1650EG38D6W-667512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 8 ELPIDA E5108AGBG-6E-E
SAMSUNG * M378T6553EZS-CE7512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80726SAMSUNG K4T51083QE
SIS * SLX264M8-J6E-2512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-6E-7124
SIS SLX264M8-JGE512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-GE 7506
SIS SLX264M8-JGE-3512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-8E-7212
Équipe * TVDD512M667512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80709Équipe T2D648PT-6
Dépasser512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80727ELPIDA E5108AG-6E-E
TS64MLQ64V6J de Transcend512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80632Mosel V59C1512804QAF3
TS64MLQ64V8J de Transcend512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80633Mosel V59C1512804QBF25
TwinMOS * 8DP25JK5MTETP 8D25JK-TT512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80713TwinMOS TMM6208G8M25C
V-DONNÉES * M2GVD6G3H3160I1E53512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 V-DONNÉES VD29608A8A-25EG
Winchip* GDE4GB28L300C54 GO6675-5-5Non-ECCx8 WinChip AEC2560KQ-30