Mémoire système pour carte® Intel® D915GEV pour PC de bureau

Documentation

Compatibilité

000007161

06/30/2021

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte possède quatre sockets DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • DimM SDRAM DDR2 1,8 V (uniquement) avec contacts dorés
  • DimM sans support, mono ou double face avec la restriction suivante : les dimM doubles côtés avec organisation x16 ne sont pas pris en charge
  • Mémoire système totale maximale de 4 Go
  • Mémoire système totale minimale : 128 Mo
  • DimM non ECC
  • Détection de présence série
  • DimM SDRAM DDR2 533 MHz ou DDR2 400 MHz
Notes
  • Retirez la carte vidéo PCI Express* x16 avant d’installer ou de mettre à niveau la mémoire pour éviter tout interférence avec le mécanisme de rétention de la mémoire.
  • Pour être entièrement conforme à toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR applicables, la carte doit être remplie de dimms qui supportent la structure de données SPD (Serial Presence Detect). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si une mémoire non SPD est installée, le BIOS tentera de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais les performances et la fiabilité peuvent être impactées ou les DIMM peuvent ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.

 

Configurations DIMM prise en charge

Capacité DIMMConfigurationDensité de SDRAMOrganisation SDRAM côté avant/arrièreNombre de périphériques SDRAM
128 MoSs256 Mbit16 M x 16/vide4
256 MoSs256 Mbit32 M x 8/vide8
256 MoSs512 Mbit32 M x 16/vide4
512 MoDs256 Mbit32 M x 8/32 M x 816
512 MoSs512 Mbit64 M x 8/vide8
512 MoSs1 Gbit64 M x 16/vide4
1 024 MoDs512 Mbit64 M x 8/64 M x 816
1 024 MoSs1 Gbit128 M x 8/vide8
2 048 MoDs1 Gbit128 M x 8/128 M x 816

 

NoteDans la deuxième colonne, le terme DS fait référence à des modules de mémoire double côté (contenant deux lignes de SDRAM DDR) et SS fait référence à des modules de mémoire monolatérale (contenant une ligne de SDRAM DDR).

 

Mémoire testée

La mémoire testée par des tiers intervient comme demandé par les fournisseurs de mémoire et est testée dans une maison de mémoire indépendante qui ne fait pas partie d’Intel. Mémoire testée par Computer Memory Test Labs (CMTL).

Mémoire auto-testée par le fournisseur
Intel fournit aux fournisseurs de mémoire qui participent à ce programme un plan de test de mémoire commun à utiliser comme caisse de base de la stabilité de la mémoire. La mémoire répertoriée ici a été testée par le fournisseur de la mémoire ou par Intel utilisant ce plan de test. Il est possible que ces numéros de pièce ne soient pas facilement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les pièces qui ont réussi les tests effectués en utilisant le programme d’auto-test d’Intel pour la carte® Intel® D915GEV pour PC de bureau.

 

Fournisseur de modules
Numéro de pièce du module
Taille du module
(Mo)
Vitesse du module
(MHz)
Latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
Dimm
Organisation
Module
Date Code
Composant utilisé
Numéro de pièce comp
Essentiel*
CT16HTF6464AG53EB2
512 mo5334-4-4Non-ECCDSx80405Micron*
MT47H32M8FP-37E
Crucial
CT8HTF3264AG53EB3
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0405Micron
MT47H32M8FP-37E
Crucial
CT4HTF1664AG53EB1
128 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0416Micron
MT47H16M16FG-37E
Hynix*
HYMP512U648-C4
1go5334-4-4Non-ECCDSx80424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512 mo5334-4-4Non-ECCDSx80423Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0418Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0426Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0413Hynix
HY5PS561621F-C4
Technologies Infineon*
HYS64T128020 TIRE-3.7-A
1go5334-4-4Non-ECCDSx80434Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3.7
Infineon Technologies
HYS64T64000 TIRE-3.7-A
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0446Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3.7
Infineon Technologies
HYS64T32001 TIRE-3.7-A
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0436Infineon Technologies
HYB18T256800AF-3.7
Infineon Technologies
HYS64T32000 TIRE-3.7-A
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0436Infineon Technologies
HYB18T512160AF-3.7
Technologie Secteurs d’ax t*
KVR533D2N4/512
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0000Elpida*
E5108AB-5C-E
Micron*
MT16HTF12864AY-53ED4
1 024 Mo5334-4-4Non-ECCDSx80611Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT18HTF12872AY-53EB1
1 024 Mo5334-4-4EccDSx80511Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF12864AY-53EB1
1 024 Mo5334-4-4Non-ECCDSx80511Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT8VDDT6464AY-53ED7
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0612Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT16HTF6464AG-53EB2
512 mo5334-4-4Non-ECCDSx80405Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT16HTF6464AY-53EB2
512 mo5334-4-4Non-ECCDSx80506Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-53EB3
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0504Micron
MT47H64M8CB-37E
Micron
MT8HTF6464AY-53EB8
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0519Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT4HTF3264AY-53ED3
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0605Micron
MT47H32M16BN
Micron
MT4HTF3264AY-53EB1
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0524Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-53EB2
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0527Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AY-53EB5
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0524Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF3264AG-53EB3
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0405Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT8HTF3264AY-53EB3
256 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0422Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-53EB1
128 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0416Micron
MT47H16M16FG-37E
Micron
MT4HTF1664AY-53EB1
128 mo5334-4-4Non-ECCSSx16 (SSx16)0434Micron
MT47H16M16BG
Samsung*
M378T2953BG0-CD5
1 024 Mo5334-4-4Non-ECCDSx80414Samsung
K4T51083QB-GCD5
Composants électroniques super-talent*
T533UB1GB
1 024 Mo5334-4-4Non-ECCDSx80515Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Samsung
M378T6553BG0-CD5
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0412Samsung
K4T51083QB-GCD5
Composants électroniques super-talent
T533UA512B
512 mo5334-4-4Non-ECCSSx8 (SSx8)0514Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Essentiel*
CT16HTF6464AG40EB2
512 mo4003-3-3Non-ECCDSx80402Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT8HTF3264AG40EB3
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0352Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT4HTF1664AG40EB1
128 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0352Micron
MT47H16M16FG-5E
Hynix*
HYMP264U648-E3
512 mo4003-3-3Non-ECCDSx80421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0418Hynix
HY5PS561621F-E3
Infineon Technologies
HYS64T128020 TIRE-5-A
1go4003-3-3Non-ECCDSx80437Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T64000 TIRE-5-A
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0436Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32001 TIRE-5-A
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0438Infineon Technologies
HYB18T256800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32000 TIRE-5-A
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0434Infineon Technologies
HYB18T512160AF-5
Micron
MT16HTF12864AY-40EB1
1 024 Mo4004-4-4Non-ECCDSx80504Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB8
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0523Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF6464AG-40EB2
512 mo4003-3-3Non-ECCDSx80402Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT16HTF6464AY-40EB2
512 mo4003-3-3Non-ECCDSx80507Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-40EB3
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0504Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB9
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0507Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB3
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0528Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF3264AY-40EB2
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0523Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-40EB1
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0521Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AG-40EB3
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0352Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB5
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0524Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-40EB1
128 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0352Micron
MT47H16M16FG-5E
Micron
MT4HTF1664AY-40EB1
128 mo4003-3-3Non-ECCSSx16 (SSx16)0434Micron
MT47H16M16BG
Samsung
M368L2923DUN-CCC
1 Go4003-3-3Non-ECCDSx80540Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0549Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M378T6453FG0-CCC
512 mo4003-3-3Non-ECCDSx80414Samsung
K4T56083QF-GCCC
Samsung
M378T3253FG0-CCC
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0414Samsung
K4T56083QF-GCC
Composants électroniques super-talent
T400UB1GA
1 024 Mo4003-3-3Non-ECCDSx80512Infineon
HYB18T512800AF5
Composants électroniques super-talent
T400UA512A
512 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0514Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Composants électroniques super-talent
T400UA256A
256 mo4003-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0448Samsung
K4T56083QF-GCCC
Micron
MT8VDDT6464AG-335D1
512 mo3332.5-3-3Non-ECCSSx8 (SSx8)0450Micron
MT46V64M8TG-5E

 

Mise à jour : 30 novembre 2006